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它能为您做什么？它凭借333MHz的高时钟频率和极快的访问速度，让您的设备轻松实现高速数据读写与流畅的多任务处理。无论是工业控制中的实时指令，还是通信设备中的数据缓冲，它都能高效、稳定地完成任务。其1.8V左右的低工作电压和宽温范围特性，更能帮助您打造出功耗与可靠性兼备的优质产品。

• 型号:MT47H128M8HQ-3:E TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA（8x11.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:128M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:333 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:450 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-FBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA（8x11.5）
• MT47H128M8HQ-3:E TR，Micron（美光）产品一站式供应商。