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还在寻找一颗能瞬间提升您系统响应速度的内存芯片吗？MT49H32M18CFM-25E:B TR正是您期待的答案。这颗来自美光科技的576Mb并行DRAM，拥有32M x 18的宽位数据总线，配合高达400MHz的时钟频率，能为您的高速应用注入澎湃动力，轻松处理海量数据流，彻底告别延迟卡顿。

它采用先进的1.8V左右低电压设计，在提供高达15ns快速访问性能的同时，显著优化了能效比，让您的设备运行更高效、更持久。其144-TFBGA紧凑封装和表面贴装特性，非常适合空间受限的嵌入式设计，无论是网络通信、工业控制还是高端消费电子，它都能无缝集成，成为您系统可靠的数据交换枢纽。

• 型号:MT49H32M18CFM-25E:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-BGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144UBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:576Mb
• 存储器组织:32M x 18
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:15 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
• MT49H32M18CFM-25E:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。