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还在为传统内存方案的速度瓶颈和功耗问题困扰吗？让MT47H256M4SH-25E:M为您开启高效能新篇章！这颗由美光科技打造的1Gb DDR2 SDRAM芯片，是您提升系统性能的得力助手。

它能以高达400MHz的速度流畅处理数据，400ps的极速访问时间让响应毫无迟滞，显著加速您的应用程序运行。同时，其1.7V~1.9V的低电压供电特性，能有效帮助您降低整体系统功耗，提升能效比。无论是用于需要快速数据交换的网络设备、工业控制器，还是其他嵌入式系统，它都能让您的设计轻松应对高带宽挑战，运行更稳定、更高效。

• 型号:MT47H256M4SH-25E:M
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA（8x10）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:256M x 4
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:400 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-TFBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA（8x10）
• MT47H256M4SH-25E:M，Micron（美光）产品一站式供应商。