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还在为系统运行缓慢、数据吞吐瓶颈而烦恼吗？让MT47H128M8SH-25E:M TR为您带来改变！这颗来自美光科技的1Gb DDR2 SDRAM芯片，是您提升设备性能的秘密武器。它拥有128M x 8的宽位存储结构，如同一条八车道的高速公路，让数据能够并行不悖地高速传输，轻松应对大数据量的实时处理需求。

它能让您的产品运行如飞。高达400MHz的工作频率和极低的访问延迟，确保应用程序加载更快，多任务切换更流畅。其1.8V典型电压设计，在提供强劲动力的同时实现了高效节能。采用先进的60-TFBGA封装，体积小巧，可靠性高，能轻松集成到各种空间受限的现代化设计中，从工业控制到网络通信，助您打造更高效、更可靠的核心系统。

• 型号:MT47H128M8SH-25E:M TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA（8x10）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:128M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:400 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-TFBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA（8x10）
• MT47H128M8SH-25E:M TR，Micron（美光）产品一站式供应商。