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还在为嵌入式系统寻找一颗性能与可靠性兼备的“心脏”吗？MT47H128M8HQ-187E:E TR就是您期待的答案。这颗由美光科技打造的1Gb DDR2 SDRAM芯片，能以533MHz的高速时钟频率和并联接口，为您的高速处理器提供源源不断的数据流，轻松应对实时数据处理、大容量缓冲等挑战，让您的设备运行如飞。

它采用先进的60-FBGA封装，节省宝贵的PCB空间，1.7V~1.9V的低电压供电让您高效节能。无论是工业控制、网络通信还是高端消费电子，它都能在0°C至85°C的温度范围内稳定工作，成为您产品设计中值得信赖的持久动力。选择它，就是选择了一份经过市场验证的卓越与安心。

• 型号:MT47H128M8HQ-187E:E TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA（8x11.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 1GBIT PAR 60FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:128M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:533 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:350 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-FBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA（8x11.5）
• MT47H128M8HQ-187E:E TR，Micron（美光）产品一站式供应商。