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还在为严苛环境下的系统稳定性而担忧吗？MT47H128M8CF-25E IT:H TR这颗1Gb DDR2并行DRAM芯片，就是您应对挑战的得力助手。它能让您的设备在-40°C到95°C的极端温度范围内稳定工作，轻松处理高速数据流，无论是工业控制还是通信设备，都能获得高效、可靠的内存支持。

凭借400MHz的时钟频率和仅1.8V左右的工作电压，它在提供快速数据访问（访问时间低至400ps）的同时，也兼顾了能效。其128M x 8的架构和并行接口，让您能轻松构建高性能的存储子系统，为您的核心处理器提供源源不断的数据动力，全面提升系统响应速度与处理能力。

• 型号:MT47H128M8CF-25E IT:H TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA（8x10）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:128M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:400 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-TFBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA（8x10）
• MT47H128M8CF-25E IT:H TR，Micron（美光）产品一站式供应商。