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还在为您的嵌入式设备寻找一颗性能与稳定兼备的“记忆心脏”吗？MT47H128M8B7-5E L:A TR正是您的理想之选。这颗来自美光科技的1Gb DDR2 SDRAM芯片，能以高达200MHz的速度高效处理数据，600ps的极速访问时间让系统响应无比迅捷，轻松应对实时控制与高速数据缓冲的挑战。

它采用1.8V低电压运行和紧凑的92-VFBGA封装，在为您节省宝贵功耗与板卡空间的同时，其0°C至85°C的宽温工作范围更能确保设备在各类环境中稳定运行。无论是工业自动化、网络通信还是需要持续可靠运行的经典设备，它都能提供坚实可靠的存储支持，让您的产品设计无后顾之忧。

• 型号:MT47H128M8B7-5E L:A TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:92-FBGA（11x19）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 92FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:128M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:200 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:600 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:92-TFBGA
• 供应商器件封装:92-FBGA（11x19）
• MT47H128M8B7-5E L:A TR，Micron（美光）产品一站式供应商。