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您正在寻找一颗能担当系统“记忆中枢”重任的闪存芯片吗？M29W256GL70ZS6F TR正是为您而来。这颗由美光科技打造的256Mb并行NOR闪存，能以高达70ns的极速访问时间，让您的处理器高效存取关键启动代码、应用程序或系统参数，彻底摆脱数据等待的瓶颈，大幅提升系统整体响应效率。

它不仅仅追求速度，更注重全方位的可靠。其工作电压覆盖2.7V至3.6V，并能在-40°C到85°C的严苛温度范围内稳定运行，轻松应对工业、汽车等复杂环境挑战。无论是8位还是16位数据总线，它都能灵活适配，为您提供可靠的非易失存储解决方案，让您的设计根基更加稳固。

• 型号:M29W256GL70ZS6F TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:64-FBGA（11x13）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 256MBIT PARALLEL 64FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NOR
• 存储容量:256Mb
• 存储器组织:32M x 8，16M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:70ns
• 访问时间:70 ns
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:64-LBGA
• 供应商器件封装:64-FBGA（11x13）
• M29W256GL70ZS6F TR，Micron（美光）产品一站式供应商。