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MT29F64G08CBCGBL04A3WC1-R 零件图片(仅供参考)

MT29F64G08CBCGBL04A3WC1-R
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MT29F64G08CBCGBL04A3WC1-R 规格参数

还在寻找一颗能扛起海量数据存储重任的核心芯片吗?MT29F64G08CBCGBL04A3WC1-R正是您期待的答案。这颗由美光科技打造的64Gb并行NAND闪存,就像一个高速、永不失忆的“数字大脑”,能轻松为您存储高达8GB的关键数据,无论是复杂的系统程序、丰富的多媒体内容还是庞大的日志文件,都能从容应对。

它采用并联接口,数据读写高效流畅,显著提升您设备的整体响应速度。宽电压(2.7V-3.6V)支持和0°C至70°C的工作温度范围,确保了它在各种应用场景下的出色稳定性和可靠性。选择它,就是为您的产品选择了一个值得信赖的数据基石,让您的设计更高效,性能更出众。

  • 型号:MT29F64G08CBCGBL04A3WC1-R
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:模具
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC FLASH 64GBIT PARALLEL DIE
  • 系列:-
  • 包装:散装
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:闪存
  • 技术:闪存 - NAND
  • 存储容量:64Gb
  • 存储器组织:8G x 8
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:-
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度:0°C ~ 70°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:模具
  • 供应商器件封装:模具
  • MT29F64G08CBCGBL04A3WC1-R,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT29F64G08CBCGBL04A3WC1-R 基本参数:

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