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还在为系统数据处理的瓶颈而烦恼吗？让MT47H128M4CB-37E:B TR为您注入澎湃动力！这颗来自美光科技的512Mb DDR2 SDRAM芯片，是您提升设备性能的秘密武器。

它以高达267MHz的时钟频率和极快的500ps访问时间，让数据读写如闪电般迅捷，彻底释放您主控芯片的算力。无论是处理复杂的图形界面、缓存大量的网络数据，还是支撑实时控制系统的运行，它都能轻松胜任，确保您的应用流畅、高效、不卡顿。

其1.8V左右的核心电压和工业级温度范围，更赋予了它出色的能效比与环境适应性，是构建可靠耐用产品的理想内存解决方案。选择它，就是为您的产品选择了一份经过市场千锤百炼的稳定与高效。

• 制造商产品型号：MT47H128M4CB-37E:B TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - DDR2
• 存储容量：512Mb（128M x 4）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：267MHz
• 写周期时间-字，页：15ns
• 访问时间：500ps
• 电压-供电：1.7V ~ 1.9V
• 工作温度：0°C ~ 85°C（TC）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：60-FBGA
• MT47H128M4CB-37E:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。