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您正在寻找一颗能大幅提升系统响应速度的存储芯片吗？MT47H128M16RT-25E:C TR正是您期待的解决方案。这颗2Gb容量的DDR2 SDRAM，拥有高达400MHz的运行频率和仅400ps的极速访问时间，能瞬间满足处理器对数据的高速吞吐需求，让您的应用程序运行如飞，彻底告别卡顿与延迟。

它采用1.8V低电压设计，在提供强劲性能的同时实现高效节能，非常适合对功耗敏感的应用。其宽温（0°C至85°C）特性和稳定的并行接口，确保在工业控制、网络通信等高要求场景下也能长期可靠工作。选择它，就是为您的核心设备装备了一个高速、稳定且节能的数据引擎。

• 型号:MT47H128M16RT-25E:C TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:84-FBGA（9x12.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:2Gb
• 存储器组织:128M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:400 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:84-TFBGA
• 供应商器件封装:84-FBGA（9x12.5）
• MT47H128M16RT-25E:C TR，Micron（美光）产品一站式供应商。