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您正在寻找一颗能扛起系统数据吞吐重任的核心存储器吗？MT46V64M8TG-5B IT:J TR正是您理想的答案。这颗美光出品的512Mb DDR SDRAM芯片，拥有64M x 8的并行架构和200MHz的时钟频率，能为您的高速处理器提供充足且流畅的数据带宽，轻松应对实时数据处理、缓冲存储等关键任务。

它采用2.5V~2.7V低电压运行，功耗控制出色，同时具备-40°C至85°C的工业级宽温工作能力，让您的设备即使在严苛环境下也能稳定可靠。其700ps的快速访问时间和15ns的写周期时间，确保了高效的数据读写效率，显著提升系统整体响应速度。选择它，就是为您的嵌入式系统注入一颗强劲而可靠的数据心脏。

• 型号:MT46V64M8TG-5B IT:J TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:66-TSOP
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:64M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:200 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:700 ps
• 电压 - 供电:2.5V ~ 2.7V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:66-TSSOP（szeroko 0，400，10，16mm）
• 供应商器件封装:66-TSOP
• MT46V64M8TG-5B IT:J TR，Micron（美光）产品一站式供应商。