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MT49H16M18CFM-33:B 零件图片(仅供参考)

MT49H16M18CFM-33:B
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MT49H16M18CFM-33:B 规格参数

还在为系统内存带宽不足而烦恼吗?MT49H16M18CFM-33:B这颗288Mb RLDRAM 2存储器,就是为您突破性能瓶颈而设计的利器。它能以3.3ns的超低延迟和高速并联接口,让您的网络设备、电信基础设施或高端计算平台实现极速数据存取,轻松应对海量数据包的实时处理与缓冲需求。

基于1.8V低电压和144-BGA紧凑封装,它让您在获得惊人带宽的同时,有效控制功耗与板卡空间。无论是用于路由查找表、数据包缓存还是其他对延迟极度敏感的应用,它都能确保系统响应如闪电般迅捷,大幅提升整体吞吐量和效率,让您的产品设计快人一步。

  • Micron美光半导体完整型号:MT49H16M18CFM-33:B
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC RLDRAM 288MBIT 3.3NS 144UBGA
  • 系列:-
  • 格式 - 存储器:RAM
  • 存储器类型:RLDRAM 2
  • 存储容量:288M(16M x 18)
  • 速度:3.3ns
  • 接口:并联
  • 电压 - 电源:1.7 V ~ 1.9 V
  • 工作温度:0°C ~ 95°C
  • 封装/外壳:144-TFBGA
  • 供应商器件封装:144-BGA (18.5x11)
  • MT49H16M18CFM-33:B,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT49H16M18CFM-33:B 基本参数:

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