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还在为嵌入式系统的数据缓存速度而焦虑吗？让MT46V64M8P-6T:F为您解忧！这颗美光出品的512Mb DDR SDRAM芯片，就像一个高速、可靠的数据中转站，能以高达167MHz的速度并行处理数据，访问时间低至惊人的700ps，让您的设备告别卡顿，实现流畅高效的数据交换。

它采用标准的66-TSSOP封装和表面贴装技术，让您的PCB设计和生产组装变得异常轻松。其2.3V~2.7V的低电压工作范围，更能帮助您有效控制系统功耗，提升整体能效。无论是用于现有系统的维护升级，还是对兼容性有严格要求的经典设计，它都能让您轻松集成，稳定运行，是您值得信赖的存储伙伴。

• 型号:MT46V64M8P-6T:F
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:66-TSOP
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:64M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:167 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:700 ps
• 电压 - 供电:2.3V ~ 2.7V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:66-TSSOP（szeroko 0，400，10，16mm）
• 供应商器件封装:66-TSOP
• MT46V64M8P-6T:F，Micron（美光）产品一站式供应商。