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还在为嵌入式系统的数据吞吐速度而焦虑吗？让MT46V64M8P-5B:J TR为您带来颠覆性的体验！这颗由美光科技打造的512Mb DDR SDRAM芯片，凭借200MHz的高时钟频率和仅700ps的闪电般访问时间，能瞬间响应您的数据调用指令，让您的设备处理海量信息时依然行云流水，彻底告别卡顿与延迟。

它采用高效的并联接口和2.5V~2.7V低电压设计，在为您提供高达64M x 8的宽阔数据通道的同时，显著优化系统功耗，助力打造更节能环保的产品。其坚固的66-TSSOP表面贴装封装和0°C~70°C的宽温工作能力，确保它能在各种严苛环境下稳定运行，让您轻松应对工业控制、网络通信、汽车电子等多元化应用的挑战，是提升产品核心竞争力的智能之选。

• 型号:MT46V64M8P-5B:J TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:66-TSOP
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:64M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:200 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:700 ps
• 电压 - 供电:2.5V ~ 2.7V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:66-TSSOP（szeroko 0，400，10，16mm）
• 供应商器件封装:66-TSOP
• MT46V64M8P-5B:J TR，Micron（美光）产品一站式供应商。