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还在为嵌入式系统寻找一颗性能与稳定兼备的存储核心吗？MT46V64M8FN-75:D就是您期待的答案。这颗美光出品的512Mb DDR SDRAM芯片，能以133MHz的时钟频率高速运行，配合仅750ps的访问时间，让您的设备实现数据的瞬间读写与流畅处理，显著提升系统响应速度。

它采用高效的64M x 8并行接口和2.3V~2.7V的低电压供电，不仅让数据传输更高效，还能有效降低系统整体功耗。无论是应对工业控制中的复杂数据流，还是保障网络设备的稳定运行，它都能轻松胜任，让您的设计更高效、更可靠。

• 型号:MT46V64M8FN-75:D
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA（10x12.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:64M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:133 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:750 ps
• 电压 - 供电:2.3V ~ 2.7V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-TFBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA（10x12.5）
• MT46V64M8FN-75:D，Micron（美光）产品一站式供应商。