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它能让您的设备实现闪电般的响应速度。仅700ps的访问时间和15ns的写周期时间，意味着无论是实时控制指令的下达，还是多媒体数据的缓冲，都能获得近乎零延迟的极致性能。其2.5V~2.7V的低电压供电与宽温工作特性，更确保了在各种应用环境中都能保持高效稳定的运行，显著提升您最终产品的可靠性与用户体验。

• 型号:MT46V64M8CY-5B:J TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA（8x12.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:64M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:200 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:700 ps
• 电压 - 供电:2.5V ~ 2.7V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-TFBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA（8x12.5）
• MT46V64M8CY-5B:J TR，Micron（美光）产品一站式供应商。