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您是否正在寻找一颗能显著提升系统数据吞吐能力的内存解决方案？MT46V64M8CY-5B:J正是您的理想之选。这颗美光512Mb DDR SDRAM芯片，凭借200MHz的高时钟频率和仅700ps的超快访问时间，能轻松应对实时数据处理的严苛要求，让您的设备运行如飞，彻底告别响应迟缓的困扰。

它采用高效的64M x 8并行接口和2.5V~2.7V低电压设计，在为您提供稳定大容量数据缓存空间的同时，还能有效优化整体系统功耗。无论是嵌入式控制、网络通信还是多媒体终端，它都能无缝集成，成为驱动您产品高效、稳定运行的可靠心脏。

• 型号:MT46V64M8CY-5B:J
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA（8x12.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:最后售卖
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:64M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:200 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:700 ps
• 电压 - 供电:2.5V ~ 2.7V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-TFBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA（8x12.5）
• MT46V64M8CY-5B:J，Micron（美光）产品一站式供应商。