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还在为嵌入式系统寻找一颗性能与稳定兼备的“内存基石”吗？MT46V64M8BN-5B:D这颗512Mb DDR SDRAM芯片，就是您理想的答案。它拥有64M x 8的存储结构，能以高达200MHz的速度流畅运行，配合仅700ps的快速访问时间，让您的设备数据处理能力瞬间提升，应对多任务处理游刃有余。

这颗芯片采用成熟的2.5V~2.7V低电压设计，有效降低系统功耗，同时其工业级的稳定表现，能让您的产品在复杂的应用环境中持续高效运转。无论是用于升级现有设备以延长生命周期，还是为特定项目寻找经过市场验证的可靠元件，它都能让您的设计工作更加轻松、高效。

• 型号:MT46V64M8BN-5B:D
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA（10x12.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:64M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:200 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:700 ps
• 电压 - 供电:2.5V ~ 2.7V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-TFBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA（10x12.5）
• MT46V64M8BN-5B:D，Micron（美光）产品一站式供应商。