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您正在寻找一颗能瞬间提升系统数据吞吐能力的“动力引擎”吗？MT46V32M16TG-75:C TR正是这样一款专为高效能需求设计的DDR SDRAM。它拥有512Mb（32M x 16）的存储容量，能以高达133MHz的速度运行，配合仅750ps的快速访问时间，确保您的应用程序能够流畅、无延迟地处理海量数据，显著提升整体系统响应效率。

这颗芯片采用2.3V~2.7V低电压工作，节能高效，并且能在0°C至70°C的宽温范围内稳定运行，轻松应对各种嵌入式环境挑战。其标准的66-TSSOP封装形式，便于您进行表面贴装集成，简化生产流程。无论是用于工业控制、通信设备还是需要可靠数据缓存的其他领域，它都能成为您系统中值得信赖的坚实后盾。

• 型号:MT46V32M16TG-75:C TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:66-TSOP
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:32M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:133 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:750 ps
• 电压 - 供电:2.3V ~ 2.7V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:66-TSSOP（szeroko 0，400，10，16mm）
• 供应商器件封装:66-TSOP
• MT46V32M16TG-75:C TR，Micron（美光）产品一站式供应商。