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还在为嵌入式系统的数据带宽和响应速度烦恼吗？让MT46V32M16TG-5B:F TR为您带来飞跃式的体验！这颗512Mb容量的DDR SDRAM芯片，凭借200MHz的高效时钟和惊人的700ps访问时间，能轻松驾驭海量数据的实时读写，瞬间提升您系统的整体流畅度与处理能力。

它采用经典的66-TSSOP封装和2.5V~2.7V低电压设计，易于集成且功耗控制出色。无论是驱动复杂的图形界面、缓冲高速网络数据，还是确保工业控制指令的稳定执行，它都能提供高效、可靠的并行存储支持，让您的产品设计更从容，性能表现更卓越。

• 型号:MT46V32M16TG-5B:F TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:66-TSOP
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:32M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:200 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:700 ps
• 电压 - 供电:2.5V ~ 2.7V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:66-TSSOP（szeroko 0，400，10，16mm）
• 供应商器件封装:66-TSOP
• MT46V32M16TG-5B:F TR，Micron（美光）产品一站式供应商。