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还在为嵌入式系统的数据吞吐瓶颈而困扰吗？MT46V32M16FN-6 IT:C TR这颗512Mb DDR SDRAM芯片，就是为您打破瓶颈而设计的利器。它以高达167MHz的时钟频率和仅700ps的访问时间，让您的应用能够轻松应对实时数据流处理，无论是视频缓冲、通信缓存还是复杂算法运算，都能获得高效、流畅的体验。

这颗芯片采用60-TFBGA小型化封装和表面贴装技术，非常适合空间紧凑的嵌入式设计。其宽泛的工业级工作温度范围（-40°C ~ 85°C）和2.3V~2.7V的低电压运行特性，确保了它在各种严苛环境下都能稳定可靠地工作，大幅提升了您终端产品的环境适应性和市场竞争力。

• 型号:MT46V32M16FN-6 IT:C TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA（10x12.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:32M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:167 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:700 ps
• 电压 - 供电:2.3V ~ 2.7V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-TFBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA（10x12.5）
• MT46V32M16FN-6 IT:C TR，Micron（美光）产品一站式供应商。