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还在为嵌入式系统寻找一颗速度快、容量足、又足够可靠的核心存储芯片吗？让M29W128GL90N6E来为您解决这个关键问题。这颗由美光科技打造的128Mb并行NOR闪存，能以高达90ns的极速访问时间，让您的处理器无需等待，瞬间读取指令与数据，大幅提升系统响应效率与整体性能。

它为您提供了灵活的16M x 8或8M x 16组织方式，轻松适配不同位宽的总线需求。宽广的2.7V~3.6V工作电压与-40°C至85°C的工业级温度范围，确保您的设备即使在苛刻的环境下也能稳定运行。选择它，就是为您的工业控制、通信设备或汽车电子应用，选择了一份高效与安心的保障。

• 型号:M29W128GL90N6E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:56-TSOP
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 128MBIT PARALLEL 56TSOP
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NOR
• 存储容量:128Mb
• 存储器组织:16M x 8，8M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:90ns
• 访问时间:90 ns
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:56-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
• 供应商器件封装:56-TSOP
• M29W128GL90N6E，Micron（美光）产品一站式供应商。