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您是否在寻找一颗能让系统性能飞跃的“心脏”？MT46V32M16CY-5B IT:J TR就是您期待的答案。这颗来自美光科技的512Mb DDR SDRAM芯片，凭借其32M x 16的并行架构和高达200MHz的时钟频率，能为您的高速处理器提供源源不断的数据流，彻底释放计算潜力。

它能让您的设备轻松应对大数据吞吐需求，无论是工业控制中的实时数据处理，还是网络设备中的高速数据交换，都能确保流畅无阻。仅700ps的快速访问时间和15ns的写周期时间，意味着更低的延迟和更高的效率，让您的产品在竞争中快人一步。其宽温工作特性和稳定的2.5V~2.7V供电，更确保了在各种环境下持久可靠的运行，是您打造高性能、高可靠性产品的理想内存伙伴。

• 型号:MT46V32M16CY-5B IT:J TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA（8x12.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:32M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:200 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:700 ps
• 电压 - 供电:2.5V ~ 2.7V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-TFBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA（8x12.5）
• MT46V32M16CY-5B IT:J TR，Micron（美光）产品一站式供应商。