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您正在为嵌入式系统寻找一颗高速、可靠的内存核心吗？MT46V32M16BN-75 IT:C正是为您而来的解决方案。这颗512Mb DDR SDRAM芯片，能以高达133MHz的时钟频率和惊人的750ps访问速度，让您的系统数据处理能力脱胎换骨，轻松应对实时、高吞吐量的应用挑战。

它为您提供32M x 16的灵活组织架构，并联接口确保数据传输高效直接。2.3V~2.7V的低电压运行，助力您设计出更节能的产品。其坚固的60-TFBGA封装和宽达-40°C至85°C的工业级工作温度范围，意味着它能陪伴您的设备稳定运行在各种苛刻环境之中，是提升产品竞争力的可靠伙伴。

• 型号:MT46V32M16BN-75 IT:C
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA（10x12.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:32M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:133 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:750 ps
• 电压 - 供电:2.3V ~ 2.7V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-TFBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA（10x12.5）
• MT46V32M16BN-75 IT:C，Micron（美光）产品一站式供应商。