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还在为嵌入式系统的数据吞吐瓶颈而烦恼吗？让MT46V32M16BN-5B:F TR为您带来畅快的数据体验！这颗美光DDR SDRAM芯片，拥有512Mb的存储容量和200MHz的运行频率，能轻松应对工业控制、网络通信等场景下的高速数据缓存与交换需求，让您的系统运行如行云流水般顺畅。

它采用高效的并联接口和2.5V~2.7V低电压设计，不仅响应迅速（访问时间仅700ps），更能帮助您有效优化整体功耗。其坚固的60-TFBGA表面贴装封装，确保了在复杂环境下的长期稳定运行。选择它，就是为您的核心设备选择了一位可靠、高效的数据伙伴。

• 型号:MT46V32M16BN-5B:F TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA（10x12.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:32M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:200 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:700 ps
• 电压 - 供电:2.5V ~ 2.7V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-TFBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA（10x12.5）
• MT46V32M16BN-5B:F TR，Micron（美光）产品一站式供应商。