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还在为嵌入式系统寻找一颗反应迅捷、运行稳定的“记忆核心”吗？MT46V16M16P-5B AIT:M TR正是您理想的答案。这颗来自美光科技的256Mb DDR SDRAM，凭借其200MHz的高时钟频率和仅700ps的超快访问时间，能轻松应对高速数据读写需求，让您的处理器指令得到即时响应，大幅提升整体系统运行效率。

它能在2.3V~2.7V的低电压下稳定工作，并耐受-40°C至85°C的宽温范围，无论是严苛的工业环境还是户外设备，都能保障数据存储的可靠性。其16M x 16的并行架构和紧凑的66-TSSOP封装，让您在设计时能更高效地利用板卡空间，轻松实现高性能与小体积的完美平衡。

• 型号:MT46V16M16P-5B AIT:M TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:66-TSOP
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 256MBIT PARALLEL 66TSOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR
• 存储容量:256Mb
• 存储器组织:16M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:200 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:700 ps
• 电压 - 供电:2.3V ~ 2.7V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:66-TSSOP（szeroko 0，400，10，16mm）
• 供应商器件封装:66-TSOP
• MT46V16M16P-5B AIT:M TR，Micron（美光）产品一站式供应商。