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当您的设计需要一颗心脏来为高速数据流提供澎湃动力时，MT46V16M16CY-5B AIT:M TR正是您理想的伙伴。这颗来自美光科技的256Mb DDR SDRAM芯片，能以高达200MHz的速度运行，配合仅700ps的闪电般访问时间，确保您的处理器无需等待，瞬间存取关键数据，极大提升整个系统的实时响应能力和处理效率。

它专为 demanding 的环境而生，支持-40°C至85°C的宽温工作范围，并适应2.3V~2.7V的电压波动，让您的工业控制、通信设备或汽车电子应用无惧严酷挑战，稳定运行。其16位宽的并联接口和紧凑的60-TFBGA封装，让您能轻松实现高带宽的数据交换与高密度的电路板布局，简化设计流程。

• 型号:MT46V16M16CY-5B AIT:M TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA（8x12.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR
• 存储容量:256Mb
• 存储器组织:16M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:200 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:700 ps
• 电压 - 供电:2.3V ~ 2.7V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-TFBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA（8x12.5）
• MT46V16M16CY-5B AIT:M TR，Micron（美光）产品一站式供应商。