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它采用高效的并行接口和128M x 8的组织结构，让您的系统能够快速读写数据，提升整体响应速度。1.7V~1.95V的低电压设计，更有助于您优化产品功耗，延长电池寿命。选择它，就是为您的关键应用选择了一份经久耐用的可靠性保障。

• 型号:MT29F1G08ABBEAH4-IT:E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（9x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:128M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
• MT29F1G08ABBEAH4-IT:E，Micron（美光）产品一站式供应商。