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还在为嵌入式系统的数据吞吐瓶颈而烦恼吗？让MT46V128M4P-5B:J为您带来流畅体验！这颗美光512Mb DDR SDRAM芯片，以128M x 4的组织结构和200MHz的时钟频率，为您构建高效的数据缓冲区和程序运行空间。其并联接口确保数据高速并行存取，让您的设备在处理复杂任务时响应更加迅捷。

它能在2.5V至2.7V的低电压下稳定工作，有效帮助您优化整体系统功耗。表面贴装的66-TSSOP紧凑封装，让您能更灵活地进行PCB布局，轻松应对空间受限的设计挑战。选择它，就是为您的工业控制、网络通信或消费电子项目，选择一个经过市场长期验证的可靠存储伙伴。

• 型号:MT46V128M4P-5B:J
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:66-TSOP
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:128M x 4
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:200 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:700 ps
• 电压 - 供电:2.5V ~ 2.7V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:66-TSSOP（szeroko 0，400，10，16mm）
• 供应商器件封装:66-TSOP
• MT46V128M4P-5B:J，Micron（美光）产品一站式供应商。