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您正在寻找一颗能显著提升系统数据吞吐能力的核心存储器吗？MT46V128M4FN-75:D TR正是您的高效助手。这颗512Mb容量的DDR SDRAM，凭借133MHz的时钟频率和仅750ps的快速访问时间，能让您的嵌入式设备轻松应对实时数据缓冲、高速通信处理等任务，瞬间提升响应速度与运行流畅度。

它采用标准的并联接口和2.5V左右的核心电压，让您的硬件设计集成过程更为简单直接。无论是工业控制、网络设备还是需要稳定内存支持的传统消费类产品，这颗芯片都能提供可靠的数据存储基石，让您的产品在性能与稳定性上赢得用户信赖。

• 型号:MT46V128M4FN-75:D TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA（10x12.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:128M x 4
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:133 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:750 ps
• 电压 - 供电:2.3V ~ 2.7V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-TFBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA（10x12.5）
• MT46V128M4FN-75:D TR，Micron（美光）产品一站式供应商。