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还在为嵌入式系统寻找一颗反应迅捷、能耗经济的“记忆核心”吗？MT46H64M32LFCX-5 WT:B正是您期待的答案。这颗美光出品的2Gb移动LPDDR SDRAM，拥有64M x 32的组织结构和200MHz时钟频率，能为您的高速应用提供充沛的数据吞吐带宽，让复杂任务处理变得行云流水。

它更懂您的能效诉求。1.7V~1.95V的低电压运行，显著降低系统功耗，延长便携设备的续航；5ns的快速访问与15ns的写周期时间，则确保了数据存取的极致效率。无论是面对工业控制的严苛环境，还是满足消费电子对轻薄冷静的追求，它都能以90-VFBGA的小巧封装，轻松融入您的设计，助您打造出更高效、更可靠的产品。

• 型号:MT46H64M32LFCX-5 WT:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:90-VFBGA（9x13）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 90VFBGA
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - 移动 LPDDR
• 存储容量:2Gb
• 存储器组织:64M x 32
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:200 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:5 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:-25°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:90-VFBGA
• 供应商器件封装:90-VFBGA（9x13）
• MT46H64M32LFCX-5 WT:B，Micron（美光）产品一站式供应商。