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还在为嵌入式系统寻找一颗既快又省电的“记忆大脑”吗？MT46H64M16LFBF-6 IT:B TR这颗1Gb移动LPDDR SDRAM芯片，就是为您的高要求应用量身打造的。它以高达166MHz的速度和仅5ns的快速访问能力，确保您的设备数据处理流畅无阻，响应迅如闪电。

更重要的是，它懂得如何“精打细算”。1.7V~1.95V的低电压运行，能显著降低系统整体功耗，特别适合电池供电或对能效敏感的设备。同时，其宽广的-40°C至85°C工作温度范围，让您的产品无惧严寒酷暑，在各种恶劣环境下都能稳定可靠地工作。选择它，就是为您的设计注入高效与坚韧的双重保障。

• 型号:MT46H64M16LFBF-6 IT:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-VFBGA（8x9）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - 移动 LPDDR
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:64M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:166 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:5 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-VFBGA
• 供应商器件封装:60-VFBGA（8x9）
• MT46H64M16LFBF-6 IT:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。