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还在为嵌入式系统寻找一颗反应迅捷、能耗经济的“记忆核心”吗？MT46H4M32LFB5-5:K正是您理想的伙伴。它拥有128Mb的存储容量和4M x 32的并行位宽，结合200MHz的高时钟频率与仅5ns的访问时间，能轻松应对高速数据流的实时读写需求，让您的系统处理性能大幅提升。

这颗芯片专为能效敏感型应用而生。其1.7V~1.95V的低电压供电，显著降低了整体系统功耗，特别适合电池供电的便携设备。同时，紧凑的90-VFBGA封装让您能更高效地利用宝贵的PCB空间。选择它，就是选择了一种经过验证的、在性能与功耗间取得完美平衡的可靠解决方案，让您的产品设计更从容、运行更高效。

• 制造商产品型号：MT46H4M32LFB5-5:K
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC DRAM 128MBIT PARALLEL 90VFBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：托盘
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - 移动 LPDDR
• 存储容量：128Mb（4M x 32）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：200MHz
• 写周期时间-字，页：15ns
• 访问时间：5ns
• 电压-供电：1.7V ~ 1.95V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：90-VFBGA
• MT46H4M32LFB5-5:K，Micron（美光）产品一站式供应商。