我们为全球各个行业提供Micron（美光） MT46H256M32L4SA-48 WT:C TR现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您是否正在寻找一颗能同时点燃设备性能并显著延长电池寿命的内存芯片？MT46H256M32L4SA-48 WT:C TR正是为您而来的解决方案。它基于美光先进的移动LPDDR SDRAM技术，为您提供高达8Gb的并行存储空间和208MHz的运行速度，让您的应用程序加载更快、多任务处理更流畅，彻底告别卡顿等待。

这颗芯片的核心价值在于其卓越的能效比。它在1.7V至1.95V的低电压下工作，大幅降低了系统整体功耗，让您的便携设备续航更持久。同时，5ns的快速访问时间和宽温工作特性，确保无论是在处理高清图形还是运行复杂算法时，都能保持高效稳定的数据输出，让您的产品设计在性能和可靠性上双双赢得市场青睐。

• 制造商产品型号：MT46H256M32L4SA-48 WT:C TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC DRAM 8GBIT PARALLEL 168TFBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - 移动 LPDDR
• 存储容量：8Gb（256M x 32）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：208MHz
• 写周期时间-字，页：14.4ns
• 访问时间：5ns
• 电压-供电：1.7V ~ 1.95V
• 工作温度：-25°C ~ 85°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：168-TFBGA
• MT46H256M32L4SA-48 WT:C TR，Micron（美光）产品一站式供应商。