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还在为嵌入式系统寻找一颗可靠的内存心脏吗？MT46H256M32L4JV-6 WT:B TR就是您的高效解决方案。这颗美光移动LPDDR SDRAM拥有8Gb大容量和166MHz运行频率，能以并联接口快速吞吐数据，5ns的访问时间让系统响应迅如闪电，彻底释放您主控芯片的性能潜力。

它专为 demanding 应用而生。1.7V~1.95V的低电压设计显著降低系统功耗，延长设备续航；其宽温工作特性（-25°C ~ 85°C）确保在工业、车载等复杂环境中稳定如一。紧凑的168-VFBGA封装更让您轻松实现高密度板级设计，助力产品小型化与性能提升的双重目标。

• 型号:MT46H256M32L4JV-6 WT:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:168-VFBGA（12x12）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 8GBIT PARALLEL 168VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - 移动 LPDDR
• 存储容量:8Gb
• 存储器组织:256M x 32
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:166 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:5 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:-25°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:168-VFBGA
• 供应商器件封装:168-VFBGA（12x12）
• MT46H256M32L4JV-6 WT:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。