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还在寻找能让您的移动设备“大脑”飞速运转的顶级内存方案吗？MT52L512M64D4GN-107 WT:B TR就是您期待的答案。这颗美光出品的32Gb移动LPDDR3 DRAM芯片，能以高达933MHz的速度处理海量数据，让您的智能手机、平板或嵌入式系统轻松应对多任务、高清游戏和复杂应用，体验前所未有的流畅与迅捷。

更妙的是，它在释放强大性能的同时，还非常“体贴”。仅需1.2V低电压即可高效工作，显著延长设备的续航时间。其紧凑的256-ball FBGA封装，为您节省宝贵的内部空间，助力实现更轻薄、更时尚的产品设计。选择它，就是选择了一个经过市场验证的、可靠的高性能内存核心，让您的产品在激烈的竞争中脱颖而出。

• 型号:MT52L512M64D4GN-107 WT:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:256-FBGA（14x14）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 32GBIT 933MHZ 256FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - Mobile LPDDR3
• 存储容量:32Gb
• 存储器组织:512M x 64
• 存储器接口:-
• 时钟频率:933 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.2V
• 工作温度:-30°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:256-WFBGA
• 供应商器件封装:256-FBGA（14x14）
• MT52L512M64D4GN-107 WT:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。