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还在为嵌入式系统寻找一颗‘快、稳、省’的内存核心吗？MT46H16M32LFB5-6 AT:C TR就是您的理想答案。这颗美光出品的512Mb移动LPDDR DRAM，能以高达166MHz的速度运行，配合仅5ns的访问时间，让您的设备数据处理如虎添翼，轻松应对实时性要求高的复杂任务。

它专为严苛环境设计，1.7V~1.95V的低电压范围让您有效控制整体功耗，而-40°C至105°C的宽温工作能力，则确保了它在工业、车载、户外等各类场景下的极致可靠性。其90-VFBGA小型化封装，更为您的产品设计节省了宝贵空间。选择它，就是为您的产品选择了一份经过验证的高效与稳定。

• 型号:MT46H16M32LFB5-6 AT:C TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:90-VFBGA（8x13）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - 移动 LPDDR
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:16M x 32
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:166 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:5 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:90-VFBGA
• 供应商器件封装:90-VFBGA（8x13）
• MT46H16M32LFB5-6 AT:C TR，Micron（美光）产品一站式供应商。