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还在寻找一颗能兼顾速度、功耗与易用性的高性能内存芯片吗？MT45W8MW16BGX-708 WT TR正是您的理想之选。它搭载美光先进的PSRAM技术，为您提供128Mb（8M x 16）的高速存储空间，通过80MHz时钟频率与70ns的极速访问时间，让您的系统数据处理能力飞跃提升，轻松应对实时性要求苛刻的应用挑战。

这颗芯片采用1.7V~1.95V低电压运行，显著降低系统整体功耗，延长便携设备的续航。其标准的并行接口简化了您的设计流程，而宽温（-30°C ~ 85°C）特性确保了在各种环境下的稳定可靠。选择它，就是为您的嵌入式系统注入一颗高效、稳健的“数据心脏”。

• 型号:MT45W8MW16BGX-708 WT TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:54-VFBGA（8x10）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC PSRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:PSRAM
• 技术:PSRAM（伪 SRAM）
• 存储容量:128Mb
• 存储器组织:8M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:80 MHz
• 写周期时间 - 字，页:70ns
• 访问时间:70 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:-30°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:54-VFBGA
• 供应商器件封装:54-VFBGA（8x10）
• MT45W8MW16BGX-708 WT TR，Micron（美光）产品一站式供应商。