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MT45W4MW16BFB-706 WT TR 零件图片(仅供参考)

MT45W4MW16BFB-706 WT TR
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MT45W4MW16BFB-706 WT TR 规格参数

还在为嵌入式系统的内存选择权衡利弊吗?MT45W4MW16BFB-706 WT TR这颗64Mb PSRAM芯片,就是为您量身定制的解决方案。它能以SRAM般的简易接口和无需刷新的特性,为您提供高速、稳定的数据暂存空间,同时凭借创新的内部架构,让您享受到接近DRAM的成本效益,轻松实现高性能与低成本的完美统一。

这颗芯片能让您的设计如虎添翼。其70ns的极速访问时间,确保实时数据吞吐毫无延迟;1.7V~1.95V的低电压工作范围,则显著优化系统功耗,特别适合电池供电的便携设备。无论是工业控制、通信模块还是消费电子,它都能让您的产品运行更高效、响应更迅捷,彻底释放主处理器的性能潜力。

  • 制造商产品型号:MT45W4MW16BFB-706 WT TR
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC PSRAM 64MBIT PARALLEL 54VFBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:卷带(TR)
  • 系列:-
  • 零件状态:停产
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:PSRAM
  • 技术:PSRAM(伪 SRAM)
  • 存储容量:64Mb(4M x 16)
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:-
  • 写周期时间-字,页:70ns
  • 访问时间:70ns
  • 电压-供电:1.7V ~ 1.95V
  • 工作温度:-30°C ~ 85°C(TC)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:54-VFBGA
  • MT45W4MW16BFB-706 WT TR,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT45W4MW16BFB-706 WT TR 基本参数:

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