我们为全球各个行业提供Micron（美光） MT29C4G96MAAGBACKD-5 WT TR现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为设备寻找一颗既能高速运行又能可靠存储的“心脏”吗？MT29C4G96MAAGBACKD-5 WT TR正是您的理想之选。它将4Gb容量的NAND闪存与同样4Gb容量的低功耗移动DRAM（LPDRAM）完美融合于一颗芯片中，让您的设备能够轻松实现数据的快速读写与高效缓存，大幅提升系统整体响应速度和应用多任务处理能力。

这颗芯片采用先进的137-VFBGA小型化封装，非常适合空间受限的移动和嵌入式设计。其1.7V~1.95V的低电压供电和高达200MHz的工作频率，在为您带来强劲性能的同时，也显著优化了能效比。无论是用于智能手机、平板电脑，还是各类需要高性能存储解决方案的工业设备，它都能让您的产品运行更流畅、体验更出色。

• 制造商产品型号：MT29C4G96MAAGBACKD-5 WT TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH RAM 4GBIT PAR 137VFBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：FLASH，RAM
• 技术：闪存 - NAND，移动 LPDRAM
• 存储容量：4Gb（256M x 16）（NAND），4Gb（128M x 32）（LPDRAM）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：200MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：1.7V ~ 1.95V
• 工作温度：-25°C ~ 85°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：137-VFBGA
• MT29C4G96MAAGBACKD-5 WT TR，Micron（美光）产品一站式供应商。