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还在寻找一颗能同时满足高速响应、大容量存储与精简设计需求的记忆芯片吗？MT45W4MW16BFB-706 WT F TR就是您的理想答案。这颗美光64Mb PSRAM，采用并行接口，能以高达70ns的速度进行数据存取与写入，让您的嵌入式系统运行如飞，轻松应对实时数据处理、复杂算法运行等多重挑战。

它为您带来了前所未有的设计便利。1.7V~1.95V的低电压操作，显著降低系统功耗；宽达-30°C至85°C的工作温度范围，确保在严苛环境下依然稳定可靠。其伪SRAM技术内核，让您无需设计复杂的DRAM刷新电路，即可获得类似SRAM的简洁接口体验，极大简化了您的硬件设计，提升了开发效率，助您更快地将创新产品推向市场。

• 型号:MT45W4MW16BFB-706 WT F TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:54-VFBGA（6x9）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC PSRAM 64MBIT PARALLEL 54VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:PSRAM
• 技术:PSRAM（伪 SRAM）
• 存储容量:64Mbit
• 存储器组织:4M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:70ns
• 访问时间:70 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:-30°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:54-VFBGA
• 供应商器件封装:54-VFBGA（6x9）
• MT45W4MW16BFB-706 WT F TR，Micron（美光）产品一站式供应商。