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还在为系统缓存的速度瓶颈而烦恼吗？MT44K64M18RB-083F:A TR将彻底改变这一局面。这颗美光RLDRAM 3芯片，拥有高达1200MHz的运行频率和仅6.67ns的闪电般访问时间，专为需要极致低延迟和高带宽的应用而设计。它能轻松胜任作为网络设备中的数据包缓冲区、高端显卡的显存或测试测量设备中的高速缓存，让您的数据流转效率获得质的飞跃。

它采用1.28V-1.42V的低电压供电和168-TBGA表面贴装封装，在提供强劲性能的同时，也兼顾了能效与集成便利性。无论是处理海量随机访问，还是维持持续的高吞吐量，这颗芯片都能稳定输出，让您的系统设计更加游刃有余，轻松应对未来挑战。

• 制造商产品型号：MT44K64M18RB-083F:A TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC RLDRAM 1.125GBIT PAR 168BGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：DRAM
• 技术：RLDRAM 3
• 存储容量：1.125Gb（64Mb x 18）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：1200MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：6.67ns
• 电压-供电：1.28V ~ 1.42V
• 工作温度：0°C ~ 95°C（TC）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：168-TBGA
• MT44K64M18RB-083F:A TR，Micron（美光）产品一站式供应商。