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还在为嵌入式系统的内存性能瓶颈而烦恼吗？让MT46V64M16P-6T:A TR为您开启高效运行的新篇章。这颗由美光科技打造的1Gb DDR SDRAM芯片，拥有64M x 16的并行架构，能以高达167MHz的速度流畅处理数据，其仅700ps的闪电般访问时间和15ns的快速写周期，确保您的应用响应无比迅捷。

它采用2.3V~2.7V低电压供电和标准的66-TSSOP封装，不仅功耗控制出色，更能让您轻松完成板级集成设计。无论是支撑工业控制器的复杂逻辑，还是加速网络设备的报文转发，它都能提供稳定可靠的高速数据吞吐，让您的设备运行更流畅、更高效。

• 型号:MT46V64M16P-6T:A TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:66-TSOP
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 1GBIT PAR 167MHZ 66TSOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:64M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:167 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:700 ps
• 电压 - 供电:2.3V ~ 2.7V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:66-TSSOP（szeroko 0，400，10，16mm）
• 供应商器件封装:66-TSOP
• MT46V64M16P-6T:A TR，Micron（美光）产品一站式供应商。