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还在为系统内存的延迟和带宽发愁吗？MT44K64M18RB-083F:A就是您期待的答案。这颗美光RLDRAM 3芯片，拥有高达1200MHz的运行频率和仅6.67ns的快速访问时间，能瞬间处理海量数据流，彻底释放您核心处理器的潜能，让系统响应快如闪电。

它采用高效的并联接口和1.125Gb（64Mb x 18）的容量配置，专为对带宽和延迟有严苛要求的应用优化。无论是构建下一代网络设备、高性能计算模块还是实时信号处理系统，它都能让您轻松实现低延迟、高吞吐的数据交换。其宽电压（1.28V~1.42V）和宽温（0°C~95°C）工作特性，进一步确保了在各种复杂环境下的稳定与可靠，是您打造差异化高端产品的得力伙伴。

• 型号:MT44K64M18RB-083F:A
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:168-BGA（13.5x13.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 1.125GBIT PAR 168BGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:RLDRAM 3
• 存储容量:1.125Gb
• 存储器组织:64M x 18
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:1.2 GHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:6.67 ns
• 电压 - 供电:1.28V ~ 1.42V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:168-TBGA
• 供应商器件封装:168-BGA（13.5x13.5）
• MT44K64M18RB-083F:A，Micron（美光）产品一站式供应商。