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还在寻找能匹配您高端设备吞吐量需求的存储方案吗？MT44K64M18RB-083E:A TR这颗美光RLDRAM 3芯片，就是您期待的答案。它能为您提供高达1.125Gb的并联存储容量和1200MHz的疾速时钟，让数据访问延迟低至7.5ns，彻底解决带宽瓶颈，让您的网络交换、通信基础设施或高性能计算设备运行如飞。

这颗芯片采用先进的1.28V~1.42V供电，在0°C至95°C的宽温范围内稳定工作，兼具高性能与高能效。其168-TBGA封装易于集成，能帮助您轻松构建可靠、高效的硬件平台。选择它，就是为您的核心系统注入一颗强劲而可靠的“数据心脏”，确保关键任务流畅无阻。

• 型号:MT44K64M18RB-083E:A TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:168-BGA（13.5x13.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 1.125GBIT PAR 168BGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:RLDRAM 3
• 存储容量:1.125Gb
• 存储器组织:64M x 18
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:1.2 GHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:7.5 ns
• 电压 - 供电:1.28V ~ 1.42V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:168-TBGA
• 供应商器件封装:168-BGA（13.5x13.5）
• MT44K64M18RB-083E:A TR，Micron（美光）产品一站式供应商。