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还在为系统数据吞吐能力不足而烦恼吗？让MT44K32M18RB-107E:B TR为您注入强劲动力！这颗由美光科技出品的576Mb并行DRAM，凭借高达933MHz的运行频率和仅8ns的快速访问时间，能轻松胜任高速数据缓冲、实时处理等苛刻任务，显著提升您设备的响应速度与运行流畅度。

它采用先进的1.28V~1.42V低电压设计，在提供大容量（32M x 18）存储空间的同时，有效降低系统整体功耗，帮助您打造更节能、更高效的产品。其168-TBGA封装和宽温（0°C ~ 95°C）工作特性，确保了在各种嵌入式及工业环境下的长期可靠性与稳定性，是您构建下一代网络、通信、汽车电子及高端消费类设备的理想内存伙伴。

• 型号:MT44K32M18RB-107E:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:168-BGA（13.5x13.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 576MBIT PAR 168BGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:576Mb
• 存储器组织:32M x 18
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:933 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:8 ns
• 电压 - 供电:1.28V ~ 1.42V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:168-TBGA
• 供应商器件封装:168-BGA（13.5x13.5）
• MT44K32M18RB-107E:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。