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还在寻找能够为您的系统提供澎湃数据动力的内存解决方案吗？MT44K32M18RB-093E:B TR正是您理想的伙伴。这颗来自美光科技的576Mb并行DRAM芯片，以其高达1067MHz的运行速度，能瞬间响应处理指令，大幅提升您设备的整体数据吞吐效率，让复杂运算和实时任务处理变得轻松自如。

它采用168-TBGA表面贴装封装，集成度高，易于在紧凑的空间内布局。1.28V~1.42V的低电压工作范围，不仅让您的系统设计更节能，其宽达0°C至95°C的工作温度范围，更能确保在严苛环境下依然稳定运行，为您的工业控制、网络通信等关键应用提供持久可靠的数据存储与交换支持。

• 型号:MT44K32M18RB-093E:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:168-BGA（13.5x13.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 576MBIT PAR 168BGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:576Mb
• 存储器组织:32M x 18
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:1.066 GHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:8 ns
• 电压 - 供电:1.28V ~ 1.42V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:168-TBGA
• 供应商器件封装:168-BGA（13.5x13.5）
• MT44K32M18RB-093E:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。