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还在寻找一颗能同时点燃设备性能并呵护电池电量的内存芯片吗？MT42L256M64D4LM-18 WT:A TR就是您的答案。这颗由美光科技打造的16Gb移动LPDDR2 DRAM，拥有533MHz的高时钟频率和64位并行接口，能为您的高速应用处理器提供澎湃的数据流，轻松应对多任务处理与高清内容加载，彻底告别卡顿。

更重要的是，它深谙能效平衡之道。1.14V~1.3V的低电压运行，显著降低了系统整体功耗，让您的移动设备在性能全开时也能拥有令人羡慕的续航表现。其216-VFBGA紧凑封装和宽温工作特性，让您可以更灵活地设计产品，无论是追求轻薄时尚的消费电子，还是要求稳定可靠的工业设备，它都能完美融入，成为提升产品竞争力的秘密武器。

• 型号:MT42L256M64D4LM-18 WT:A TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:216-FBGA（12x12）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 16GBIT PAR 216FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2
• 存储容量:16Gb
• 存储器组织:256M x 64
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:533 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.14V ~ 1.3V
• 工作温度:-30°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:216-VFBGA
• 供应商器件封装:216-FBGA（12x12）
• MT42L256M64D4LM-18 WT:A TR，Micron（美光）产品一站式供应商。