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MT42L128M32D1LH-25 WT:A TR 零件图片(仅供参考)

MT42L128M32D1LH-25 WT:A TR
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MT42L128M32D1LH-25 WT:A TR 规格参数

还在为设备的数据吞吐速度和功耗问题而烦恼吗?让MT42L128M32D1LH-25 WT:A TR来为您解决!这颗美光出品的4Gb LPDDR2移动内存芯片,是专为高性能嵌入式系统打造的动力核心。它能以高达400MHz的速度并行处理数据,为您的高速应用提供充沛带宽,同时其1.14V~1.3V的低电压设计,能显著降低系统整体功耗,让您的设备在高效运行的同时,也能拥有更持久的续航能力。

这颗芯片能轻松胜任多种角色。无论是作为工业控制主板的运行内存,加速实时数据处理;还是嵌入到便携式设备中,支撑流畅的多媒体体验,它都能稳定发挥。其宽温度范围(-30°C ~ 85°C)确保了在苛刻环境下的可靠性,而紧凑的216球FBGA封装则为您节省宝贵的PCB空间。选择它,就是选择了一个经过市场验证、能有效平衡性能、功耗与成本的成熟解决方案,让您的产品设计更稳健、更高效。

  • 型号:MT42L128M32D1LH-25 WT:A TR
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:216-FBGA(12x12)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 216FBGA
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2
  • 存储容量:4Gb
  • 存储器组织:128M x 32
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:400 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:1.14V ~ 1.3V
  • 工作温度:-30°C ~ 85°C(TC)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:216-UFBGA
  • 供应商器件封装:216-FBGA(12x12)
  • MT42L128M32D1LH-25 WT:A TR,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT42L128M32D1LH-25 WT:A TR 基本参数:

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